Справочник MOSFET. NDC652P

 

NDC652P Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: NDC652P
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 20 nC
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm
   Тип корпуса: SUPERSOT6
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC652P Datasheet (PDF)

 9.1. Size:71K  fairchild semi
 ndc651n.pdf pdf_icon

NDC652P

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect TransistorGeneral Description FeaturesThese N-Channel logic level enhancement mode power field3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5Veffect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V.high cell density, DMOS technology. This very high densityprocess is tailored t

Другие MOSFET... NDB7060L , NDB7061 , NDB7061L , NDB708A , NDB710A , NDC631N , NDC632P , NDC651N , IRF3710 , NDC7002N , NDC7003P , NDH8301N , NDH8302P , NDH8303N , NDH8304P , NDH831N , NDH832P .

History: NCV8406A | NCV8401A | NDB608AE | NCES120R062T4

 

 
Back to Top

 


 
.