NDC652P datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: NDC652P  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 1.6 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.11 Ohm

Тип корпуса: SUPERSOT6

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для NDC652P

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

NDC652P даташит

 9.1. Size:71K  fairchild semi
 ndc651n.pdf pdf_icon

NDC652P

March 1996 NDC651N N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor General Description Features These N-Channel logic level enhancement mode power field 3.2A, 30V. RDS(ON) = 0.09 @ VGS = 4.5V effect transistors are produced using Fairchild's proprietary, RDS(ON) = 0.06 @ VGS = 10V. high cell density, DMOS technology. This very high density process is tailored t

Другие IGBT... NDB7060L, NDB7061, NDB7061L, NDB708A, NDB710A, NDC631N, NDC632P, NDC651N, IRFZ44, NDC7002N, NDC7003P, NDH8301N, NDH8302P, NDH8303N, NDH8304P, NDH831N, NDH832P