BUZ40B MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ40B

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 500 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ40B datasheet

 ..1. Size:161K  siemens
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BUZ40B

BUZ 40 B SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 40 B 500 V 8.5 A 0.8 TO-220 AB C67078-S1305-A4 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 35 C 8.5 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 34 Avalanche current,limited by Tjmax

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
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BUZ40B

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ40B FEATURES SOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer Characteristics High speed switching Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation DESCRITION Designed for applications such as switching regulators, switching converters, motor drivers,relay drivers and d

Otros transistores... BUZ356, BUZ357, BUZ358, BUZ360, BUZ37, BUZ381, BUZ383, BUZ385, IRF530, BUZ44A, BUZ45B, BUZ51, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A, BUZ61