BUZ40B Todos los transistores

 

BUZ40B MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ40B
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 150 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8.5 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 180 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.8 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

 Búsqueda de reemplazo de BUZ40B MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

BUZ40B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  siemens
 buz40b.pdf pdf_icon

BUZ40B

BUZ 40 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 40 B 500 V 8.5 A 0.8 TO-220 AB C67078-S1305-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 35 C 8.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 34Avalanche current,limited by Tjmax

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
 buz40b.pdf pdf_icon

BUZ40B

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ40BFEATURESSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay drivers and d

Otros transistores... BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , BUZ360 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , IRF530 , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 .

History: 2SK3521S | AP2611GY-HF | 2SK2025

 

 
Back to Top

 


 
.