Справочник MOSFET. BUZ40B

 

BUZ40B Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ40B
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ40B Datasheet (PDF)

 ..1. Size:161K  siemens
buz40b.pdfpdf_icon

BUZ40B

BUZ 40 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 40 B 500 V 8.5 A 0.8 TO-220 AB C67078-S1305-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 35 C 8.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 34Avalanche current,limited by Tjmax

 ..2. Size:229K  inchange semiconductor
buz40b.pdfpdf_icon

BUZ40B

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ40BFEATURESSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay drivers and d

Другие MOSFET... FQT7N10L , FDP083N15A , FQU10N20C , FDP075N15A , FQU11P06 , FQU12N20 , FDPF085N10A , FQU13N06L , IRFZ44 , FDB86102LZ , FQU17P06 , FQU1N60C , FDP085N10A , FQU20N06L , FQU2N100 , FQU2N60C , FDMC8030 .

History: FDB8441F085 | AON7902 | R6524KNX | IRC330 | CS6N120P | IRF7749L1TRPBF | SI2301ADS-T1

 

 
Back to Top

 


 
.