BUZ40B - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: BUZ40B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 150 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 500 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 180 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
Аналог (замена) для BUZ40B
BUZ40B Datasheet (PDF)
buz40b.pdf

BUZ 40 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 40 B 500 V 8.5 A 0.8 TO-220 AB C67078-S1305-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 35 C 8.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 34Avalanche current,limited by Tjmax
buz40b.pdf

isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ40BFEATURESSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay drivers and d
Другие MOSFET... BUZ356 , BUZ357 , BUZ358 , BUZ360 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , AO4407 , BUZ44A , BUZ45B , BUZ51 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 .
History: DMN2100UDM | IAUC80N04S6L032 | IRF1404ZGPBF | H12N60E | BUZ349
History: DMN2100UDM | IAUC80N04S6L032 | IRF1404ZGPBF | H12N60E | BUZ349



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: MPT035N08S | MPT035N08P | MPG150N10S | MPG150N10P | MPG120N06S | MPG120N06P | MPG08N68S | MPG08N68P | MPF10N65 | MDT4N65 | MDT30P10D | MD70N10 | MD50N20 | MD25N50 | MD20N50 | MD100N20
Popular searches
2sb1243 | a1123 transistor | skd502t datasheet | svf7n65f | 2sc1419 datasheet | 2n4249 datasheet | tip130 | se9302 transistor