BUZ40B MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: BUZ40B
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 150 W
Предельно допустимое напряжение сток-исток |Uds|: 500 V
Предельно допустимое напряжение затвор-исток |Ugs|: 20 V
Пороговое напряжение включения |Ugs(th)|: 4 V
Максимально допустимый постоянный ток стока |Id|: 8.5 A
Максимальная температура канала (Tj): 150 °C
Время нарастания (tr): 70 ns
Выходная емкость (Cd): 180 pf
Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 0.8 Ohm
Тип корпуса: TO-220AB
BUZ40B Datasheet (PDF)
buz40b.pdf
BUZ 40 BSIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 40 B 500 V 8.5 A 0.8 TO-220 AB C67078-S1305-A4Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 35 C 8.5Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 34Avalanche current,limited by Tjmax
buz40b.pdf
isc N-Channel Mosfet Transistor BUZ40BFEATURESSOA is Power Dissipation Limited Nanosecond Switching Speeds Linear Transfer CharacteristicsHigh speed switchingMinimum Lot-to-Lot variations for robust deviceperformance and reliable operationDESCRITIONDesigned for applications such as switching regulators,switching converters, motor drivers,relay drivers and d
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , RFP50N06 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
