BUZ51 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: BUZ51

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm

Encapsulados: TO-220AB

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BUZ51 datasheet

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BUZ51

BUZ 51 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 51 1000 V 3.4 A 4 TO-220 AB C67078-S1344-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 29 C 3.4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 13.5 Avalanche current,limited by Tjmax IAR

Otros transistores... BUZ360, BUZ37, BUZ381, BUZ383, BUZ385, BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, AON7506, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A, BUZ61, BUZ61A, BUZ71S2, BUZ72