BUZ51 Todos los transistores

 

BUZ51 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: BUZ51
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 70 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 85 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 4 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-220AB
 

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BUZ51 Datasheet (PDF)

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BUZ51

BUZ 51SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 51 1000 V 3.4 A 4 TO-220 AB C67078-S1344-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 29 C 3.4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 13.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

Otros transistores... BUZ360 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , 2N7002 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 , BUZ61A , BUZ71S2 , BUZ72 .

History: H5N2522LS | 2SK3880 | FSS210 | IPA60R125CP | 2SK3070S | PSMN017-30EL

 

 
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