BUZ51 - аналоги и даташиты транзистора

 

BUZ51 - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: BUZ51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
 

 Аналог (замена) для BUZ51

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  siemens
 buz51.pdf pdf_icon

BUZ51

BUZ 51SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 51 1000 V 3.4 A 4 TO-220 AB C67078-S1344-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 29 C 3.4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 13.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

Другие MOSFET... BUZ360 , BUZ37 , BUZ381 , BUZ383 , BUZ385 , BUZ40B , BUZ44A , BUZ45B , IRFP250 , BUZ53A , BUZ53C , BUZ54 , BUZ54A , BUZ61 , BUZ61A , BUZ71S2 , BUZ72 .

History: WMM15N65F2 | 2SK3078 | IRFB3607 | WMN15N65C4 | INK0103AM1 | CEU12N10L | 2N60L-TF1-T

 

 
Back to Top

 


 
.