Справочник MOSFET. BUZ51

 

BUZ51 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: BUZ51
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1000 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 70 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm
   Тип корпуса: TO-220AB
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ51 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:118K  siemens
 buz51.pdf pdf_icon

BUZ51

BUZ 51SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3G D SType VDS ID RDS(on) Package Ordering CodeBUZ 51 1000 V 3.4 A 4 TO-220 AB C67078-S1344-A2Maximum RatingsParameter Symbol Values UnitContinuous drain current ID ATC = 29 C 3.4Pulsed drain current IDpulsTC = 25 C 13.5Avalanche current,limited by Tjmax IAR

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: CEU655 | IXTH20N65X | FCH023N65S3 | AP70SL1K4BK2 | IXFP26N50P3 | VB1240X | STP19NB20

 

 
Back to Top

 


 
.