BUZ51. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: BUZ51

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 125 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1000 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 70 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 85 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 4 Ohm

Тип корпуса: TO-220AB

Аналог (замена) для BUZ51

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

BUZ51 даташит

 ..1. Size:118K  siemens
 buz51.pdf pdf_icon

BUZ51

BUZ 51 SIPMOS Power Transistor N channel Enhancement mode Avalanche-rated Pin 1 Pin 2 Pin 3 G D S Type VDS ID RDS(on) Package Ordering Code BUZ 51 1000 V 3.4 A 4 TO-220 AB C67078-S1344-A2 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Continuous drain current ID A TC = 29 C 3.4 Pulsed drain current IDpuls TC = 25 C 13.5 Avalanche current,limited by Tjmax IAR

Другие IGBT... BUZ360, BUZ37, BUZ381, BUZ383, BUZ385, BUZ40B, BUZ44A, BUZ45B, AON7506, BUZ53A, BUZ53C, BUZ54, BUZ54A, BUZ61, BUZ61A, BUZ71S2, BUZ72