BWS2301 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: BWS2301
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.45 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 2.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 270 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.15 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-23
Búsqueda de reemplazo de BWS2301 MOSFET
BWS2301 Datasheet (PDF)
bws2301.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs BWS2301 MECHANICAL DATA * Case: SOT-23 Molded plastic * Epoxy: UL94V-O rate flame retardant Dimensions in millimeter Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol BWS2301 Unit Drain-Source Voltage BVDSS -20 V Gate- Source Voltage VGS +/-8 V Drain Current (continuous) ID -2.3 A Dr
Otros transistores... BUZ84A , BUZ91 , BUZ91A , BUZ93 , BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , NCEP15T14 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM .
History: P1006BD | IXTQ170N10P | PDEC2210V | HAT2188WP | PTP20N65A | AUIRFN8405 | AON6764
History: P1006BD | IXTQ170N10P | PDEC2210V | HAT2188WP | PTP20N65A | AUIRFN8405 | AON6764



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JBE084M | JBE083NS | JBE083M | JMH70R430AK | JMH70R430AF | JMH65R980APLN | JMH65R980AKQ | JMH65R980AK | JMH65R980AF | JMH65R980ACFP | JMH65R640AK | JMH65R600MK | JMH65R600MF | JMPL1025AK | JMPL1025AE | JMPL0648PKQ
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