BWS2301 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов
Наименование прибора: BWS2301
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: P
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.45 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 2.3 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Cossⓘ - Выходная емкость: 270 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.15 Ohm
Тип корпуса: SOT-23
- подбор MOSFET транзистора по параметрам
BWS2301 Datasheet (PDF)
bws2301.pdf

Bruckewell Technology Corp., Ltd. P-Channel Enhancement-Mode MOSFETs BWS2301 MECHANICAL DATA * Case: SOT-23 Molded plastic * Epoxy: UL94V-O rate flame retardant Dimensions in millimeter Maximum Ratings (Tc=25C unless otherwise noted) Parameter Symbol BWS2301 Unit Drain-Source Voltage BVDSS -20 V Gate- Source Voltage VGS +/-8 V Drain Current (continuous) ID -2.3 A Dr
Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .
History: SVF4N150PF | BUZ353 | AP2306AGEN-HF | AON7140 | SI7478DP-T1 | 2SJ244 | STB200N6F3
History: SVF4N150PF | BUZ353 | AP2306AGEN-HF | AON7140 | SI7478DP-T1 | 2SJ244 | STB200N6F3



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: ZM019N03N | DH116N08I | DH116N08F | DH116N08E | DH116N08D | DH116N08B | DH116N08 | DH10H037R | DH10H035R | DH100P40 | DH100P35I | DH100P35F | DH100P35E | DH100P35D | DH100P35B | DH100P35
Popular searches
2sc710 | 2sc968 | 2sd217 | bdw93c equivalent | cs7n60f | d613 transistor | fdmc8884 mosfet | k3569 mosfet equivalent