C2M0080120D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: C2M0080120D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.6 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm

Encapsulados: TO-247-3

 Búsqueda de reemplazo de C2M0080120D MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

C2M0080120D datasheet

 ..1. Size:727K  cree
 c2m0080120d.pdf pdf_icon

C2M0080120D

VDS 1200 V ID @ 25 C 31.6 A C2M0080120D RDS(on) 80 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant TO-247-3 Benef

Otros transistores... BUZ93, BVSS123L, BVSS138L, BVSS84L, BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, IRFZ46N, C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650