C2M0080120D Todos los transistores

 

C2M0080120D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M0080120D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 208 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 31.6 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 13.6 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.098 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3
 

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C2M0080120D Datasheet (PDF)

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C2M0080120D

VDS 1200 VID @ 25C 31.6 AC2M0080120D RDS(on) 80 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantTO-247-3 Benef

Otros transistores... BUZ93 , BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , RU7088R , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 .

History: IXTY90N055T2 | PTN30P03 | PSMN2R5-60PL | 2N65G-TF2-T | KIA2302 | IXTY1N120P

 

 
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