Справочник MOSFET. C2M0080120D

 

C2M0080120D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: C2M0080120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3.2 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.6 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 49.2 nC
   trⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3

 Аналог (замена) для C2M0080120D

 

 

C2M0080120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  cree
 c2m0080120d.pdf

C2M0080120D C2M0080120D

VDS 1200 VID @ 25C 31.6 AC2M0080120D RDS(on) 80 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantTO-247-3 Benef

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top