C2M0080120D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C2M0080120D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.6 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3

Аналог (замена) для C2M0080120D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M0080120D даташит

 ..1. Size:727K  cree
 c2m0080120d.pdf pdf_icon

C2M0080120D

VDS 1200 V ID @ 25 C 31.6 A C2M0080120D RDS(on) 80 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant TO-247-3 Benef

Другие IGBT... BUZ93, BVSS123L, BVSS138L, BVSS84L, BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, IRFZ46N, C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650