C2M0080120D - аналоги и даташиты транзистора

 

C2M0080120D - Даташиты. Аналоги. Основные параметры


   Наименование производителя: C2M0080120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 208 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 31.6 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 13.6 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.098 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3
 

 Аналог (замена) для C2M0080120D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M0080120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:727K  cree
 c2m0080120d.pdf pdf_icon

C2M0080120D

VDS 1200 VID @ 25C 31.6 AC2M0080120D RDS(on) 80 m Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantTO-247-3 Benef

Другие MOSFET... BUZ93 , BVSS123L , BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , IRFZ46N , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 .

 

 
Back to Top

 


 
.