C2M1000170D Todos los transistores

 

C2M1000170D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: C2M1000170D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 69 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4.9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 46 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 12 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3
 

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C2M1000170D Datasheet (PDF)

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C2M1000170D

VDS 1700 VID @ 25C 4.9 AC2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher System Effi

 4.1. Size:1101K  cree
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C2M1000170D

VDS 1700 VID @ 25C 5.3 AC2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures PackageTAB High blocking voltage with low RDS(on)Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli

Otros transistores... BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , 60N06 , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP .

History: CEM73A3G | US5U29TR | HY18N20T | BSC16DN25NS3G

 

 
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