C2M1000170D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: C2M1000170D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3

Аналог (замена) для C2M1000170D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M1000170D даташит

 ..1. Size:622K  cree
 c2m1000170d.pdf pdf_icon

C2M1000170D

VDS 1700 V ID @ 25 C 4.9 A C2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFET N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant Benefits TO-247-3 Higher System Effi

 4.1. Size:1101K  cree
 c2m1000170j.pdf pdf_icon

C2M1000170D

VDS 1700 V ID @ 25 C 5.3 A C2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET Technology N-Channel Enhancement Mode Features Package TAB High blocking voltage with low RDS(on) Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli

Другие IGBT... BVSS138L, BVSS84L, BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, IRLB3034, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP