C2M1000170D MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник
Наименование прибора: C2M1000170D
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
|Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 2.4 V
|Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Qgⓘ - Общий заряд затвора: 13 nC
trⓘ - Время нарастания: 46 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
Тип корпуса: TO-247-3
Аналог (замена) для C2M1000170D
C2M1000170D Datasheet (PDF)
c2m1000170d.pdf
VDS 1700 VID @ 25C 4.9 AC2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher System Effi
c2m1000170j.pdf
VDS 1700 VID @ 25C 5.3 AC2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures PackageTAB High blocking voltage with low RDS(on)Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli
Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .
History: STB140NF55-1
History: STB140NF55-1
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AOUS66923 | AOUS66920 | AOUS66620 | AOUS66616 | AOUS66416 | AOUS66414 | AOTE32136C | AOTE21115C | AOTS32338C | AOTS32334C | AOTS26108 | AOTS21319C | AOTS21313C | AOTS21311C | AOTS21115C | AOTL66918