Справочник MOSFET. C2M1000170D

 

C2M1000170D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: C2M1000170D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 69 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4.9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 46 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 12 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3
 

 Аналог (замена) для C2M1000170D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

C2M1000170D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:622K  cree
 c2m1000170d.pdf pdf_icon

C2M1000170D

VDS 1700 VID @ 25C 4.9 AC2M1000170D RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM Z-FET MOSFETN-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantBenefitsTO-247-3 Higher System Effi

 4.1. Size:1101K  cree
 c2m1000170j.pdf pdf_icon

C2M1000170D

VDS 1700 VID @ 25C 5.3 AC2M1000170J RDS(on) 1.0 Silicon Carbide Power MOSFET TM C2M MOSFET TechnologyN-Channel Enhancement ModeFeatures PackageTAB High blocking voltage with low RDS(on)Drain Easy to parallel and simple to drive Low parasitic inductance Separate driver source pin Ultra-low drain-gate capacitance Halogen Free, RoHS compli

Другие MOSFET... BVSS138L , BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , 60N06 , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP .

History: IPW50R199CP | APT30M30JFLL | FQD20N06L | IPB65R095C7 | MDP5N50TH | 2SK3484-ZK | APT8020JLL

 

 
Back to Top

 


 
.