CAS100H12AM1 Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CAS100H12AM1  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: MODULE

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CAS100H12AM1 datasheet

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CAS100H12AM1

CAS100H12AM1 VDS 1.2 kV 1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25 C) 16 m Half-Bridge Module EOFF (TJ = 125 C) 1.8 mJ Z-FETTM MOSFET and Z-RecTM Diode Features Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base

Otros transistores... BVSS84L, BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, C2M1000170D, IRF9640, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP