CAS100H12AM1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CAS100H12AM1
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
Paquete / Cubierta: MODULE
Búsqueda de reemplazo de CAS100H12AM1 MOSFET
CAS100H12AM1 Datasheet (PDF)
cas100h12am1.pdf

CAS100H12AM1VDS 1.2 kV1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 16 mHalf-Bridge ModuleEOFF (TJ = 125C) 1.8 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base
Otros transistores... BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , AON7403 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP .
History: AOB410L | AP60WN1K2H | BRCS25N60PH | CPH3360 | STP6506 | 2SK702 | VBK5213N
History: AOB410L | AP60WN1K2H | BRCS25N60PH | CPH3360 | STP6506 | 2SK702 | VBK5213N



Liste
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