CAS100H12AM1 Todos los transistores

 

CAS100H12AM1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CAS100H12AM1

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 568 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 1200 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V

Corriente continua de drenaje (Id): 168 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3.1 V

Carga de compuerta (Qg): 490 nC

Tiempo de elevación (tr): 76 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 970 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.02 Ohm

Empaquetado / Estuche: Module

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CAS100H12AM1 Datasheet (PDF)

1.1. cas100h12am1.pdf Size:746K _update_mosfet

CAS100H12AM1
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CAS100H12AM1 VDS 1.2 kV 1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25˚C) 16 mΩ Half-Bridge Module EOFF (TJ = 125˚C) 1.8 mJ Z-FETTM MOSFET and Z-RecTM Diode Features Package • Ultra Low Loss • Zero Turn-off Tail Current from MOSFET • Zero Reverse Recovery Current from Diode • High-Frequency Operation • Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) • AlSiC Base

Otros transistores... IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , IRFP354 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , J111 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP441 , IRFP442 , IRFP443 .

 

 
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