CAS100H12AM1 Todos los transistores

 

CAS100H12AM1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CAS100H12AM1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE
 

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CAS100H12AM1 Datasheet (PDF)

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CAS100H12AM1

CAS100H12AM1VDS 1.2 kV1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 16 mHalf-Bridge ModuleEOFF (TJ = 125C) 1.8 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base

Otros transistores... BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , AON7403 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP .

History: AOB410L | AP60WN1K2H | BRCS25N60PH | CPH3360 | STP6506 | 2SK702 | VBK5213N

 

 
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