CAS100H12AM1 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CAS100H12AM1
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 568 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 168 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 76 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 970 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: MODULE

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CAS100H12AM1 Datasheet (PDF)

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cas100h12am1.pdf

CAS100H12AM1VDS 1.2 kV1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 16 mHalf-Bridge ModuleEOFF (TJ = 125C) 1.8 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base

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Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores: