Справочник MOSFET. CAS100H12AM1

 

CAS100H12AM1 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CAS100H12AM1
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: MODULE
 

 Аналог (замена) для CAS100H12AM1

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CAS100H12AM1 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:746K  cree
 cas100h12am1.pdf pdf_icon

CAS100H12AM1

CAS100H12AM1VDS 1.2 kV1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 16 mHalf-Bridge ModuleEOFF (TJ = 125C) 1.8 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base

Другие MOSFET... BVSS84L , BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , AON7403 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP .

 

 
Back to Top

 


 
.