CAS100H12AM1. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CAS100H12AM1

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 568 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 168 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 76 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 970 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: MODULE

Аналог (замена) для CAS100H12AM1

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CAS100H12AM1 даташит

 ..1. Size:746K  cree
 cas100h12am1.pdf pdf_icon

CAS100H12AM1

CAS100H12AM1 VDS 1.2 kV 1.2 kV, 100A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25 C) 16 m Half-Bridge Module EOFF (TJ = 125 C) 1.8 mJ Z-FETTM MOSFET and Z-RecTM Diode Features Package Ultra Low Loss Zero Turn-off Tail Current from MOSFET Zero Reverse Recovery Current from Diode High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) AlSiC Base

Другие IGBT... BVSS84L, BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, C2M1000170D, IRF9640, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP