CCS050M12CM2 Todos los transistores

 

CCS050M12CM2 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CCS050M12CM2
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm
   Paquete / Cubierta: SIX-PACK
 

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CCS050M12CM2 Datasheet (PDF)

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CCS050M12CM2

VDS 1.2 kVCCS050M12CM21.2kV, 50A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 25 mSix-Pack (Three Phase) ModuleEOFF (TJ = 150C) 0.6 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Reverse Recovery Current Zero Turn-off Tail Current High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) Cu Baseplate, AlN DBCSy

Otros transistores... BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , 8N60 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP .

History: UTC654 | SVF13N50S | AM30N08-80D | IPB015N08N5 | ME4953-G

 

 
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