CCS050M12CM2 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CCS050M12CM2

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 312 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 87 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 30 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 393 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.034 Ohm

Encapsulados: SIX-PACK

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CCS050M12CM2 datasheet

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CCS050M12CM2

VDS 1.2 kV CCS050M12CM2 1.2kV, 50A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25 C) 25 m Six-Pack (Three Phase) Module EOFF (TJ = 150 C) 0.6 mJ Z-FETTM MOSFET and Z-RecTM Diode Features Package Ultra Low Loss Zero Reverse Recovery Current Zero Turn-off Tail Current High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) Cu Baseplate, AlN DBC Sy

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