Справочник MOSFET. CCS050M12CM2

 

CCS050M12CM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CCS050M12CM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SIX-PACK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CCS050M12CM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  cree
 ccs050m12cm2.pdf pdf_icon

CCS050M12CM2

VDS 1.2 kVCCS050M12CM21.2kV, 50A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 25 mSix-Pack (Three Phase) ModuleEOFF (TJ = 150C) 0.6 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Reverse Recovery Current Zero Turn-off Tail Current High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) Cu Baseplate, AlN DBCSy

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: ZXMN0545G4 | SE4060 | IPA600N25NM3S

 

 
Back to Top

 


 
.