CCS050M12CM2. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CCS050M12CM2

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm

Тип корпуса: SIX-PACK

Аналог (замена) для CCS050M12CM2

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CCS050M12CM2 даташит

 ..1. Size:795K  cree
 ccs050m12cm2.pdf pdf_icon

CCS050M12CM2

VDS 1.2 kV CCS050M12CM2 1.2kV, 50A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25 C) 25 m Six-Pack (Three Phase) Module EOFF (TJ = 150 C) 0.6 mJ Z-FETTM MOSFET and Z-RecTM Diode Features Package Ultra Low Loss Zero Reverse Recovery Current Zero Turn-off Tail Current High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) Cu Baseplate, AlN DBC Sy

Другие IGBT... BW3402, BWS2301, BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, IRFB7545, CCS5Y3315CM, CDM22010-650, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP