Справочник MOSFET. CCS050M12CM2

 

CCS050M12CM2 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CCS050M12CM2
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 312 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 87 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 30 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 393 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.034 Ohm
   Тип корпуса: SIX-PACK
 

 Аналог (замена) для CCS050M12CM2

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CCS050M12CM2 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:795K  cree
 ccs050m12cm2.pdf pdf_icon

CCS050M12CM2

VDS 1.2 kVCCS050M12CM21.2kV, 50A Silicon Carbide RDS(on) (TJ = 25C) 25 mSix-Pack (Three Phase) ModuleEOFF (TJ = 150C) 0.6 mJZ-FETTM MOSFET and Z-RecTM DiodeFeatures Package Ultra Low Loss Zero Reverse Recovery Current Zero Turn-off Tail Current High-Frequency Operation Positive Temperature Coefficient on VF and VDS(on) Cu Baseplate, AlN DBCSy

Другие MOSFET... BW3402 , BWS2301 , BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , 8N60 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP .

History: AP60U02GH | STF28NM50N | AS2102W | TK14A55D | RJK0369DSP | HGK020N10S | SVF18NE50PN

 

 
Back to Top

 


 
.