CDM22010-650 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CDM22010-650

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 10 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 33 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 129 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1 Ohm

Encapsulados: TO-220

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CDM22010-650 datasheet

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CDM22010-650

CDM22010-650 www.centralsemi.com SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 10 AMP, 650 VOLT The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM22010-650 is a high current, 650 Volt N-Channel power MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low thres

Otros transistores... BXL4004, BXL4004-1E, C2M0080120D, C2M0160120D, C2M1000170D, CAS100H12AM1, CCS050M12CM2, CCS5Y3315CM, K2611, CDM4-650, CDM7-650, CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP