CDM22010-650 - описание и поиск аналогов

 

CDM22010-650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CDM22010-650

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 10 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 33 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 129 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1 Ohm

Тип корпуса: TO-220

Аналог (замена) для CDM22010-650

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM22010-650 даташит

 ..1. Size:793K  central
 cdm22010-650.pdf pdf_icon

CDM22010-650

CDM22010-650 www.centralsemi.com SILICON N-CHANNEL POWER MOSFET DESCRIPTION 10 AMP, 650 VOLT The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM22010-650 is a high current, 650 Volt N-Channel power MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low thres

Другие MOSFET... BXL4004 , BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , K2611 , CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP .

History: KRFR6215

 

 

 

 

↑ Back to Top
.