CDM4-650 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CDM4-650

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 77 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 23 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 60 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.7 Ohm

Encapsulados: DPAK

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CDM4-650 datasheet

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CDM4-650

CDM4-650 SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION MEDIUM POWER MOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM4-650 is a 4.0 AMP, 650 VOLT 650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold v

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