Справочник MOSFET. CDM4-650

 

CDM4-650 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CDM4-650
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM4-650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  central
 cdm4-650.pdf pdf_icon

CDM4-650

CDM4-650SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION: MEDIUM POWER MOSFETThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM4-650 is a4.0 AMP, 650 VOLT650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage,fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold v

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: KND2804A | OSG55R074HSZF | FDC654P | SPD04N60C3 | 2SK1501 | OSG60R069HZF | PNMET20V06E

 

 
Back to Top

 


 
.