CDM4-650 - описание и поиск аналогов

 

CDM4-650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CDM4-650

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для CDM4-650

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM4-650 даташит

 ..1. Size:897K  central
 cdm4-650.pdf pdf_icon

CDM4-650

CDM4-650 SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION MEDIUM POWER MOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM4-650 is a 4.0 AMP, 650 VOLT 650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold v

Другие MOSFET... BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , EMB04N03H , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP .

History: STP6NK90Z

 

 

 

 

↑ Back to Top
.