Справочник MOSFET. CDM4-650

 

CDM4-650 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CDM4-650
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 77 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 23 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 60 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.7 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
 

 Аналог (замена) для CDM4-650

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM4-650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:897K  central
 cdm4-650.pdf pdf_icon

CDM4-650

CDM4-650SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION: MEDIUM POWER MOSFETThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM4-650 is a4.0 AMP, 650 VOLT650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage,fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold v

Другие MOSFET... BXL4004-1E , C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , 2SK3918 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP .

History: STD60NF06 | LSD65R180GT | QM2427S | QM0016D | PHP79NQ08LT | OSG60R069HZF | PSMN034-100BS

 

 
Back to Top

 


 
.