CDM7-650 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CDM7-650

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm

Encapsulados: DPAK

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CDM7-650 datasheet

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CDM7-650

CDM7-650 SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION MEDIUM POWER MOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-650 is a 7.0 AMP, 650 VOLT 650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold vo

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