CDM7-650 Todos los transistores

 

CDM7-650 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CDM7-650
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 140 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 28 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 97 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.5 Ohm
   Paquete / Cubierta: DPAK
     - Selección de transistores por parámetros

 

CDM7-650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  central
 cdm7-650.pdf pdf_icon

CDM7-650

CDM7-650SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:MEDIUM POWER MOSFETThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-650 is a7.0 AMP, 650 VOLT650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage,fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold vo

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History: IXTP50N28T | 3SK249

 

 
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