Справочник MOSFET. CDM7-650

 

CDM7-650 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CDM7-650
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 650 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 28 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm
   Тип корпуса: DPAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM7-650 Datasheet (PDF)

 ..1. Size:899K  central
 cdm7-650.pdf pdf_icon

CDM7-650

CDM7-650SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.comN-CHANNELDESCRIPTION:MEDIUM POWER MOSFETThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-650 is a7.0 AMP, 650 VOLT650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage,fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold vo

Другие MOSFET... IRFP344 , IRFP350 , IRFP350A , IRFP350FI , IRFP350LC , IRFP351 , IRFP352 , IRFP353 , 2SK3568 , IRFP360 , IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 .

History: STM4886E | AO4818 | SI4936CDY | IRLR130A | IRCP150 | BUK9609-55A | 2SK2882

 

 
Back to Top

 


 
.