CDM7-650 - описание и поиск аналогов

 

CDM7-650. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CDM7-650

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 140 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 28 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 97 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.5 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для CDM7-650

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CDM7-650 даташит

 ..1. Size:899K  central
 cdm7-650.pdf pdf_icon

CDM7-650

CDM7-650 SURFACE MOUNT SILICON www.centralsemi.com N-CHANNEL DESCRIPTION MEDIUM POWER MOSFET The CENTRAL SEMICONDUCTOR CDM7-650 is a 7.0 AMP, 650 VOLT 650 volt N-Channel MOSFET designed for high voltage, fast switching applications such as Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. This MOSFET combines high voltage capability with low rDS(ON), low threshold vo

Другие MOSFET... C2M0080120D , C2M0160120D , C2M1000170D , CAS100H12AM1 , CCS050M12CM2 , CCS5Y3315CM , CDM22010-650 , CDM4-650 , RU7088R , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.