CHM0410JGP Todos los transistores

 

CHM0410JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM0410JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM0410JGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM0410JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  chenmko
chm0410jgp.pdf pdf_icon

CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM0410JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

 9.1. Size:106K  china
chm04n10zpt.pdf pdf_icon

CHM0410JGP

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONSPLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0Drain Gate StaticMax. Gate Zeroto to Drain Drain to SourceThreshold Gate VoltageEquivalentSource Source Current OnOutlineVoltage Drain CurrentTYPE Marking CircuitVoltage Voltage ResistanceNo.DiagramVDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0VV V mA ohmS mA / V V uA V

 9.2. Size:107K  chenmko
chm04n6ngp.pdf pdf_icon

CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM04N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Otros transistores... CDM4-650 , CDM7-650 , CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , BS170 , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , CHM09N7NGP , CHM1012LPAGP , CHM1012PAGP .

History: SLF13N50A | NTMFS4823NT1G | HM3305D | AOW15S60 | MIC94050YM4TR | AUIRF2804STRR | STY130NF20D

 

 
Back to Top

 


 
.