CHM0410JGP Todos los transistores

 

CHM0410JGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM0410JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
 

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Principales características: CHM0410JGP

 ..1. Size:73K  chenmko
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CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM0410JGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High power

 9.1. Size:106K  china
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CHM0410JGP

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONS PLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0 Drain Gate Static Max. Gate Zero to to Drain Drain to Source Threshold Gate Voltage Equivalent Source Source Current On Outline Voltage Drain Current TYPE Marking Circuit Voltage Voltage Resistance No. Diagram VDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0V V V mA ohmS mA / V V uA V

 9.2. Size:107K  chenmko
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CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM04N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

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