CHM0410JGP Todos los transistores

 

CHM0410JGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM0410JGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 3.4 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 12 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 100 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.12 Ohm
   Paquete / Cubierta: SO-8
     - Selección de transistores por parámetros

 

CHM0410JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  chenmko
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CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM0410JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

 9.1. Size:106K  china
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CHM0410JGP

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONSPLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0Drain Gate StaticMax. Gate Zeroto to Drain Drain to SourceThreshold Gate VoltageEquivalentSource Source Current OnOutlineVoltage Drain CurrentTYPE Marking CircuitVoltage Voltage ResistanceNo.DiagramVDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0VV V mA ohmS mA / V V uA V

 9.2. Size:107K  chenmko
 chm04n6ngp.pdf pdf_icon

CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM04N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .

History: MTP3415KN3 | GP1M003A040XG | HD830U | SM6008NSG | ME2306N-G

 

 
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