Справочник MOSFET. CHM0410JGP

 

CHM0410JGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM0410JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 100 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 3.4 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 12 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 100 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.12 Ohm
   Тип корпуса: SO-8

 Аналог (замена) для CHM0410JGP

 

 

CHM0410JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:73K  chenmko
 chm0410jgp.pdf

CHM0410JGP CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM0410JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 100 Volts CURRENT 3.4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control.* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High power

 9.1. Size:106K  china
 chm04n10zpt.pdf

CHM0410JGP CHM0410JGP

SURFACE MOUNT DEVICES FOR HYBRID APPLICATIONSPLASTIC MATERIAL USED CARRIES UL 94V-0Drain Gate StaticMax. Gate Zeroto to Drain Drain to SourceThreshold Gate VoltageEquivalentSource Source Current OnOutlineVoltage Drain CurrentTYPE Marking CircuitVoltage Voltage ResistanceNo.DiagramVDSS VGSS ID(DC) RDS(ON) @ ID / VGS VGS(th) IDSS @ VDS,VGS=0VV V mA ohmS mA / V V uA V

 9.2. Size:107K  chenmko
 chm04n6ngp.pdf

CHM0410JGP CHM0410JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM04N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FDG6332C

 

 
Back to Top