CHM05N65PAGP Todos los transistores

 

CHM05N65PAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM05N65PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 56 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 650 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 4 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 10 nC

Tiempo de elevación (tr): 12 nS

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 90 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 2.4 Ohm

Empaquetado / Estuche: DPAK

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CHM05N65PAGP Datasheet (PDF)

1.1. chm05n65pagp.pdf Size:336K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. D-PAK(TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capabilit

5.1. chm05p03ngp.pdf Size:92K _update_mosfet

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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05P03NGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK ) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

Otros transistores... PT8205 , PT8205A , PT8822 , PT4410 , PT9926 , SI2301 , SI2305 , XP152A12COMR , IRFBC40 , AO3407 , PT4435 , SM103 , SM104 , SMY50 , SMY51 , SMY52 , SMY60 .

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