CHM05N65PAGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM05N65PAGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 56 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 650 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 4 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 12 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 90 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 2.4 Ohm

Encapsulados: DPAK

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CHM05N65PAGP datasheet

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CHM05N65PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. D-PAK(TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capabilit

 9.1. Size:92K  chenmko
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CHM05N65PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05P03NGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK ) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

Otros transistores... CHM003TGP, CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, IRF3205, CHM05P03NGP, CHM06N5NGP, CHM09N6NGP, CHM09N7NGP, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP