CHM05N65PAGP - описание и поиск аналогов

 

CHM05N65PAGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM05N65PAGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 56 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 4 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 12 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 90 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 2.4 Ohm

Тип корпуса: DPAK

Аналог (замена) для CHM05N65PAGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM05N65PAGP даташит

 ..1. Size:336K  chenmko
 chm05n65pagp.pdf pdf_icon

CHM05N65PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. D-PAK(TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capabilit

 9.1. Size:92K  chenmko
 chm05p03ngp.pdf pdf_icon

CHM05N65PAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05P03NGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK ) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

Другие MOSFET... CHM003TGP , CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , IRF3205 , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , CHM09N7NGP , CHM1012LPAGP , CHM1012PAGP , CHM1012TGP , CHM1013TGP .

 

 

 

 

↑ Back to Top
.