CHM05P03NGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM05P03NGP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm

Encapsulados: D2PAK

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CHM05P03NGP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHM05P03NGP datasheet

 ..1. Size:92K  chenmko
 chm05p03ngp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05P03NGP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK ) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(

 9.1. Size:336K  chenmko
 chm05n65pagp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. D-PAK(TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capabilit

Otros transistores... CHM02N6ANGP, CHM02N6GPAGP, CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, CHM05N65PAGP, IRF840, CHM06N5NGP, CHM09N6NGP, CHM09N7NGP, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP, CHM1023VGP