CHM05P03NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM05P03NGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: P
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Disipación total del dispositivo (Pd): 47 W
Tensión drenaje-fuente (Vds): 30 V
Tensión compuerta-fuente (Vgs): 20 V
Corriente continua de drenaje (Id): 18 A
Temperatura operativa máxima (Tj): 175 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 3 V
Carga de compuerta (Qg): 8 nC
Tiempo de elevación (tr): 11 nS
Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.07 Ohm
Empaquetado / Estuche: D2PAK
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CHM05P03NGP Datasheet (PDF)
1.1. chm05p03ngp.pdf 
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5.1. chm05n65pagp.pdf Size:336K _update_mosfet
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small flat package. D-PAK(TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capabilit
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