CHM05P03NGP Todos los transistores

 

CHM05P03NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM05P03NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 47 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 18 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 175 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 11 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK
 

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CHM05P03NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  chenmko
 chm05p03ngp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM05P03NGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK )0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

 9.1. Size:336K  chenmko
 chm05n65pagp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. D-PAK(TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power and current handing capabilit

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