Справочник MOSFET. CHM05P03NGP

 

CHM05P03NGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM05P03NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 47 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 18 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 175 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 11 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CHM05P03NGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM05P03NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:92K  chenmko
 chm05p03ngp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM05P03NGPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 30 Volts CURRENT 18 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK )0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(

 9.1. Size:336K  chenmko
 chm05n65pagp.pdf pdf_icon

CHM05P03NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM05N65PAGP N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 650 Volts CURRENT 4 AmpereAPPLICATION* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small flat package. D-PAK(TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40).280 (7.10)* High power and current handing capabilit

Другие MOSFET... CHM02N6ANGP , CHM02N6GPAGP , CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , IRF740 , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , CHM09N7NGP , CHM1012LPAGP , CHM1012PAGP , CHM1012TGP , CHM1013TGP , CHM1023VGP .

History: NP88N055KHE | TK25A60X | DMN67D8LW | AUIRFB3077 | BRCS120N06SYM | AP9971GS-HF | P1850EF

 

 
Back to Top

 


 
.