CHM09N6NGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM09N6NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 156 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 600 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 30 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 26 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm

Encapsulados: D2PAK

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CHM09N6NGP datasheet

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CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

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CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N7NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

Otros transistores... CHM02N6PAGP, CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, CHM05N65PAGP, CHM05P03NGP, CHM06N5NGP, 20N60, CHM09N7NGP, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP, CHM1023VGP, CHM1024VGP, CHM10N4NGP