Справочник MOSFET. CHM09N6NGP

 

CHM09N6NGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM09N6NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 4 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 73 nC
   trⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK

 Аналог (замена) для CHM09N6NGP

 

 

CHM09N6NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  chenmko
 chm09n6ngp.pdf

CHM09N6NGP CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 8.1. Size:107K  chenmko
 chm09n7ngp.pdf

CHM09N6NGP CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top