Справочник MOSFET. CHM09N6NGP

 

CHM09N6NGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM09N6NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 156 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 600 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 26 ns
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
 

 Аналог (замена) для CHM09N6NGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM09N6NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:343K  chenmko
 chm09n6ngp.pdf pdf_icon

CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 8.1. Size:107K  chenmko
 chm09n7ngp.pdf pdf_icon

CHM09N6NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Другие MOSFET... CHM02N6PAGP , CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , 20N60 , CHM09N7NGP , CHM1012LPAGP , CHM1012PAGP , CHM1012TGP , CHM1013TGP , CHM1023VGP , CHM1024VGP , CHM10N4NGP .

History: HM25P03K | 2SK2793 | CJAC10TH10 | IRFI840GLCPBF | BF1208D | TPM8205ATS6 | OSG60R022HT3ZF

 

 
Back to Top

 


 
.