CHM09N7NGP Todos los transistores

 

CHM09N7NGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM09N7NGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 167 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 30 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 8 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 1.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: D2PAK

 Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM09N7NGP

 

Principales características: CHM09N7NGP

 ..1. Size:107K  chenmko
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CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N7NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 8.1. Size:343K  chenmko
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CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

Otros transistores... CHM02N7NGP , CHM02N7PAGP , CHM0410JGP , CHM04N6NGP , CHM05N65PAGP , CHM05P03NGP , CHM06N5NGP , CHM09N6NGP , IRF540N , CHM1012LPAGP , CHM1012PAGP , CHM1012TGP , CHM1013TGP , CHM1023VGP , CHM1024VGP , CHM10N4NGP , CHM11C2JGP .

 

 
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