CHM09N7NGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM09N7NGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 167 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 700 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 30 V

Corriente continua de drenaje (Id): 8 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 4 V

Carga de compuerta (Qg): 32 nC

Tiempo de elevación (tr): 7 nS

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 1.2 Ohm

Empaquetado / Estuche: D2PAK

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM09N7NGP

CHM09N7NGP Datasheet (PDF)

1.1. chm09n7ngp.pdf Size:107K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N7NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

4.1. chm09n6ngp.pdf Size:343K _update_mosfet

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

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Liste

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