CHM09N7NGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHM09N7NGP  📄📄 

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 700 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 30 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

  📄📄 Копировать 

Аналог (замена) для CHM09N7NGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM09N7NGP даташит

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm09n7ngp.pdf pdf_icon

CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N7NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 8.1. Size:343K  chenmko
 chm09n6ngp.pdf pdf_icon

CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

Другие IGBT... CHM02N7NGP, CHM02N7PAGP, CHM0410JGP, CHM04N6NGP, CHM05N65PAGP, CHM05P03NGP, CHM06N5NGP, CHM09N6NGP, IRF1404, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP, CHM1023VGP, CHM1024VGP, CHM10N4NGP, CHM11C2JGP