Справочник MOSFET. CHM09N7NGP

 

CHM09N7NGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник

Наименование прибора: CHM09N7NGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 167 W

Предельно допустимое напряжение сток-исток (Uds): 700 V

Предельно допустимое напряжение затвор-исток (Ugs): 30 V

Пороговое напряжение включения Ugs(th): 4 V

Максимально допустимый постоянный ток стока (Id): 8 A

Максимальная температура канала (Tj): 150 °C

Общий заряд затвора (Qg): 32 nC

Время нарастания (tr): 7 ns

Сопротивление сток-исток открытого транзистора (Rds): 1.2 Ohm

Тип корпуса: D2PAK

Аналог (замена) для CHM09N7NGP

 

 

CHM09N7NGP Datasheet (PDF)

1.1. chm09n7ngp.pdf Size:107K _update_mosfet

CHM09N7NGP
CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N7NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

4.1. chm09n6ngp.pdf Size:343K _update_mosfet

CHM09N7NGP
CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM09N6NGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D2PAK FEATURE * Small flat package. (D2PAK) 0.420(10.67) 0.190(4.83) * High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69) 0.160(4.

 

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top