Справочник MOSFET. CHM09N7NGP

 

CHM09N7NGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM09N7NGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 167 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 700 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 30 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 8 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 1.2 Ohm
   Тип корпуса: D2PAK
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM09N7NGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:107K  chenmko
 chm09n7ngp.pdf pdf_icon

CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N7NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 700 Volts CURRENT 8 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

 8.1. Size:343K  chenmko
 chm09n6ngp.pdf pdf_icon

CHM09N7NGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM09N6NGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 600 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D2PAKFEATURE* Small flat package. (D2PAK)0.420(10.67)0.190(4.83)* High density cell design for extremely low RDS(ON). 0.380(9.69)0.160(4.

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: HAF1002 | TK3A60DA | APL602J | PK5M6EA | BSS214NW

 

 
Back to Top

 


 
.