CHM11C2JGP MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM11C2JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: NP

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 30 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 7 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 7 nS

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.03 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHM11C2JGP datasheet

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CHM11C2JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM11C2JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 Ampere P-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

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