Справочник MOSFET. CHM11C2JGP

 

CHM11C2JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM11C2JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: NP
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 30 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 7 ns
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM11C2JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:110K  chenmko
chm11c2jgp.pdfpdf_icon

CHM11C2JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDSURFACE MOUNT CHM11C2JGPDual Enhancement Mode Field Effect TransistorN-channel: VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 AmpereP-channel: VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super high dense cell design for extremely low R

Другие MOSFET... AM3401 , AM3402N , AM3403P , AM3405P , AM3406 , AM3406N , AM3407 , AM3407PE , IRFZ48N , AM3412N , AM3413 , AM3413P , AM3415 , AM3415A , AM3416 , AM3422 , AM3423P .

History: NVTFS002N04C | SI9945BDY

 

 
Back to Top

 


 
.