CHM11C2JGP. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHM11C2JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: NP

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 7 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 7 ns

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.03 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHM11C2JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM11C2JGP даташит

 ..1. Size:110K  chenmko
 chm11c2jgp.pdf pdf_icon

CHM11C2JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD SURFACE MOUNT CHM11C2JGP Dual Enhancement Mode Field Effect Transistor N-channel VOLTAGE 30 Volts CURRENT 7 Ampere P-channel VOLTAGE 20 Volts CURRENT 4.3 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super high dense cell design for extremely low R

Другие IGBT... CHM09N7NGP, CHM1012LPAGP, CHM1012PAGP, CHM1012TGP, CHM1013TGP, CHM1023VGP, CHM1024VGP, CHM10N4NGP, IRFB4110, CHM1203EVJGP, CHM1273GP, CHM1273XGP, CHM12N10PAGP, CHM12P10NGP, CHM1304WGP, CHM1305WGP, CHM13N07PAGP