CHM25N15LPAGP Todos los transistores

 

CHM25N15LPAGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM25N15LPAGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 25 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 3 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 245 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.07 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-252
 

 Búsqueda de reemplazo de CHM25N15LPAGP MOSFET

   - Selección ⓘ de transistores por parámetros

 

CHM25N15LPAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  chenmko
 chm25n15lpagp.pdf pdf_icon

CHM25N15LPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM25N15LPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 150 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10)* High power and current handing capa

Otros transistores... CHM2323GP , CHM2331GP , CHM2331QGP , CHM2342GP , CHM2346ESGP , CHM2362GP , CHM2401JGP , CHM2407JGP , P0903BDG , CHM2703QGP , CHM3032JGP , CHM3055LAPAGP , CHM3055LXGP , CHM3055ZGP , CHM3060JGP , CHM3082JGP , CHM3083JGP .

History: PD616BA | HGN195N15S | IPA60R380P6 | IPA65R310CFD | 7N60L-TQ2-T | DH9Z24 | PB6D2BX

 

 
Back to Top

 


 
.