CHM25N15LPAGP. Аналоги и основные параметры
Наименование производителя: CHM25N15LPAGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Предельные значения
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 150 V
|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
Электрические характеристики
tr ⓘ - Время нарастания: 3 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
Тип корпуса: TO-252
Аналог (замена) для CHM25N15LPAGP
- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам
CHM25N15LPAGP даташит
chm25n15lpagp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM25N15LPAGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 150 Volts CURRENT 25 Ampere APPLICATION * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. D-PAK(TO-252) FEATURE * Small package. (TO-252) * Super high dense cell design for extremely low RDS(ON). .094 (2.40) .280 (7.10) * High power and current handing capa
Другие MOSFET... CHM2323GP , CHM2331GP , CHM2331QGP , CHM2342GP , CHM2346ESGP , CHM2362GP , CHM2401JGP , CHM2407JGP , IRF1407 , CHM2703QGP , CHM3032JGP , CHM3055LAPAGP , CHM3055LXGP , CHM3055ZGP , CHM3060JGP , CHM3082JGP , CHM3083JGP .
History: MDD1051RH | NCE85H21 | AT10N60S
History: MDD1051RH | NCE85H21 | AT10N60S
🌐 : EN ES РУ
Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AUN084N10 | AUN065N10 | AUN063N10 | AUN062N08BG | AUN060N08AG | AUN053N10 | AUN050N08BGL | AUN045N085 | AUN042N055 | AUN036N10 | AUD069N10A | AUD062N08BG | AUD060N08AG | AUD060N055 | AUD056N08BGL | AUB062N08BG
Popular searches
40636 transistor | ao3407 datasheet | c1841 transistor | fb42n20d | irfb3306 equivalent | irfp460 характеристики | k2837 datasheet | k389 transistor

