Справочник MOSFET. CHM25N15LPAGP

 

CHM25N15LPAGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM25N15LPAGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 83.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 150 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 25 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 72 nC
   trⓘ - Время нарастания: 3 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 245 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.07 Ohm
   Тип корпуса: TO-252
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM25N15LPAGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:62K  chenmko
 chm25n15lpagp.pdf pdf_icon

CHM25N15LPAGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM25N15LPAGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 150 Volts CURRENT 25 AmpereAPPLICATION* Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.D-PAK(TO-252)FEATURE* Small package. (TO-252)* Super high dense cell design for extremely low RDS(ON)..094 (2.40).280 (7.10)* High power and current handing capa

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: AONG36322 | CS6N70CD | LBSS139DW1T1G | NTMFS4834NT1G

 

 
Back to Top

 


 
.