CHM3545SGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3545SGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
Búsqueda de reemplazo de CHM3545SGP MOSFET
CHM3545SGP Datasheet (PDF)
chm3545sgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3545SGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.3 AmpereAPPLICATION* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.* High saturation current capability. Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS SC-88/SOT-363* Battery Operated Systems FEATURE(1)(S1) (D1)(6
Otros transistores... CHM3252PAGP , CHM3252ZGP , CHM3258JGP , CHM3301JGP , CHM3301PAGP , CHM3413KGP , CHM3413SGP , CHM3458QGP , AON7403 , CHM3K33VESGP , CHM3U22SESGP , CHM3U22VESGP , CHM3U33SESGP , CHM4060APAGP , CHM41A2NGP , CHM41A2PAGP , CHM4201PAGP .
History: H10N65E | CS10N80AND | SVF10N65CFJH | MSU12N60T | SPD50N03S2L-06 | AOD468 | IPD30N03S2L-10
History: H10N65E | CS10N80AND | SVF10N65CFJH | MSU12N60T | SPD50N03S2L-06 | AOD468 | IPD30N03S2L-10



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: JMSH0805PK | JMSH0805PG | JMSH0805PE | JMSH0805PC | JMSH0804NK | JMSH0804NG | JMSH0804NE | JMSH0804NC | JMSH0803PC | JMSH0803NGS | JMSH0803MTL | JMSH0803MG | JMSH0803ME | JMSH0803MC | JMSH0803AGS | JBE084M
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