CHM3545SGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3545SGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 40 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 20 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.3 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
trⓘ - Tiempo de subida: 15 nS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 20 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-363
- Selección de transistores por parámetros
CHM3545SGP Datasheet (PDF)
chm3545sgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3545SGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.3 AmpereAPPLICATION* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.* High saturation current capability. Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS SC-88/SOT-363* Battery Operated Systems FEATURE(1)(S1) (D1)(6
Otros transistores... WPB4002 , FDM15-06KC5 , FQD2N60CTM , FDM47-06KC5 , FDPF045N10A , FMD15-06KC5 , FDMS8672S , FMD21-05QC , AON7408 , FDMS86368F085 , FMD47-06KC5 , FDBL86361F085 , FMK75-01F , FMM110-015X2F , FMM150-0075X2F , FMM22-05PF , FMM22-06PF .
History: CSR024 | SIHFZ14 | FDD26AN06A0 | TSM4N80CZ | IRF7506PBF | IRFS640B | JFFM13N65D
History: CSR024 | SIHFZ14 | FDD26AN06A0 | TSM4N80CZ | IRF7506PBF | IRFS640B | JFFM13N65D



Liste
Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:
MOSFET: DHF10H035R | DHF100N03B13 | DHF035N04 | DHEZ24B31 | DHESJ17N65 | DHESJ13N65 | DHESJ11N65 | DHE9Z24 | DHE90N055R | DHE90N045R | DHE85N08 | DHE8290 | DHE80N08B22 | DHE8004 | DHE50N15 | DHE50N06FZC
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