Справочник MOSFET. CHM3545SGP

 

CHM3545SGP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM3545SGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 40 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1.3 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.3 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 1.4 nC
   trⓘ - Время нарастания: 15 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 20 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5 Ohm
   Тип корпуса: SOT-363

 Аналог (замена) для CHM3545SGP

 

 

CHM3545SGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:57K  chenmko
 chm3545sgp.pdf

CHM3545SGP CHM3545SGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3545SGPSURFACE MOUNT Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect TransistorVOLTAGE 40 Volts CURRENT 0.3 AmpereAPPLICATION* Drivers: Relays, Solenoids, Lamps, Hammers, Display, Memories, Transistors, etc.* High saturation current capability. Direct Logic-Level Interface: TTL/CMOS SC-88/SOT-363* Battery Operated Systems FEATURE(1)(S1) (D1)(6

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top