CHM3K33VESGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM3K33VESGP  📄📄 

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm

Encapsulados: SOT-563

  📄📄 Copiar 

 Búsqueda de reemplazo de CHM3K33VESGP MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHM3K33VESGP datasheet

 ..1. Size:319K  chenmko
 chm3k33vesgp.pdf pdf_icon

CHM3K33VESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3K33VESGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpere APPLICATION * High speed switching. Analog switching. FEATURE SOT-563 * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) * Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. * High speed switching. (1) * Small p

Otros transistores... CHM3252ZGP, CHM3258JGP, CHM3301JGP, CHM3301PAGP, CHM3413KGP, CHM3413SGP, CHM3458QGP, CHM3545SGP, IRFB7545, CHM3U22SESGP, CHM3U22VESGP, CHM3U33SESGP, CHM4060APAGP, CHM41A2NGP, CHM41A2PAGP, CHM4201PAGP, CHM4204PAGP