CHM3K33VESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características
Número de Parte: CHM3K33VESGP
Tipo de FET: MOSFET
Polaridad de transistor: N
ESPECIFICACIONES MÁXIMAS
Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C
CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS
Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF
Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
Paquete / Cubierta: SOT-563
Búsqueda de reemplazo de CHM3K33VESGP MOSFET
CHM3K33VESGP Datasheet (PDF)
chm3k33vesgp.pdf
CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3K33VESGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpereAPPLICATION* High speed switching. Analog switching.FEATURESOT-563* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)* Input impedance is high, and not necessary to consider a driveelectric current. * High speed switching. (1)* Small p
Otros transistores... CHM3252ZGP , CHM3258JGP , CHM3301JGP , CHM3301PAGP , CHM3413KGP , CHM3413SGP , CHM3458QGP , CHM3545SGP , IRFB7545 , CHM3U22SESGP , CHM3U22VESGP , CHM3U33SESGP , CHM4060APAGP , CHM41A2NGP , CHM41A2PAGP , CHM4201PAGP , CHM4204PAGP .
History: SVF2N60CNF | CHM4269PA4GP
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