CHM3K33VESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CHM3K33VESGP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.2 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.5 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.9 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-563

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CHM3K33VESGP Datasheet (PDF)

..1. Size:319K chenmko
chm3k33vesgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3K33VESGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpereAPPLICATION* High speed switching. Analog switching.FEATURESOT-563* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)* Input impedance is high, and not necessary to consider a driveelectric current. * High speed switching. (1)* Small p

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Liste

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