CHM3K33VESGP Todos los transistores

 

CHM3K33VESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM3K33VESGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM3K33VESGP

 

CHM3K33VESGP Datasheet (PDF)

1.1. chm3k33vesgp.pdf Size:319K _update_mosfet

CHM3K33VESGP
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CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3K33VESGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpere APPLICATION * High speed switching. Analog switching. FEATURE SOT-563 * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) * Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. * High speed switching. (1) * Small p

Otros transistores... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , J310 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
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