CHM3K33VESGP Todos los transistores

 

CHM3K33VESGP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM3K33VESGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Disipación total del dispositivo (Pd): 0.125 W

Tensión drenaje-fuente (Vds): 20 V

Tensión compuerta-fuente (Vgs): 8 V

Corriente continua de drenaje (Id): 0.2 A

Temperatura operativa máxima (Tj): 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Tensión umbral compuerta-fuente Vgs(th): 1.2 V

Conductancia de drenaje-sustrato (Cd): 8.5 pF

Resistencia drenaje-fuente RDS(on): 0.9 Ohm

Empaquetado / Estuche: SOT-563

Búsqueda de reemplazo de MOSFET CHM3K33VESGP

 

CHM3K33VESGP Datasheet (PDF)

1.1. chm3k33vesgp.pdf Size:319K _update_mosfet

CHM3K33VESGP
CHM3K33VESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM3K33VESGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpere APPLICATION * High speed switching. Analog switching. FEATURE SOT-563 * Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363) * Input impedance is high, and not necessary to consider a drive electric current. * High speed switching. (1) * Small p

Otros transistores... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , 2N7002 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

 

 
Back to Top

 


CHM3K33VESGP
  CHM3K33VESGP
  CHM3K33VESGP
  CHM3K33VESGP
 

social 

Liste

Recientemente añadidas las descripciónes de los transistores:

MOSFET: SW1N55D | SKI10297 | SKI10195 | SKI10123 | SKI07171 | SKI07114 | SKI07074 | SKI06106 | SKI06073 | SKI06048 | SKI04044 | SKI04033 | SKI04024 | SKI03087 | SKI03063 |

 

 

 
Back to Top