Справочник MOSFET. CHM3K33VESGP

 

CHM3K33VESGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM3K33VESGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 0.125 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.2 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.5 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.9 Ohm
   Тип корпуса: SOT-563
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM3K33VESGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:319K  chenmko
 chm3k33vesgp.pdf pdf_icon

CHM3K33VESGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM3K33VESGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 20 Volts CURRENT 200 mAmpereAPPLICATION* High speed switching. Analog switching.FEATURESOT-563* Small surface mounting type. (SC-88/SOT-363)* Input impedance is high, and not necessary to consider a driveelectric current. * High speed switching. (1)* Small p

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , IRFP250 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

History: FQP1N50 | NCEP065N10GU

 

 
Back to Top

 


 
.