CHM5506JGP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM5506JGP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 60 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 20 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 5.5 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 8 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 80 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.055 Ohm

Encapsulados: SO-8

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CHM5506JGP datasheet

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CHM5506JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM5506JGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High sat

Otros transistores... CHM4953JGP, CHM4955JGP, CHM50N06NGP, CHM50N06PAGP, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, 12N60, CHM5813ESQ2GP, CHM5P03PAGP, CHM6030LPAGP, CHM6031LPAGP, CHM603ALPAGP, CHM6056PAGP, CHM6060NPAGP, CHM6060RNGP