Справочник MOSFET. CHM5506JGP

 

CHM5506JGP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM5506JGP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
   Тип корпуса: SO-8
 

 Аналог (замена) для CHM5506JGP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM5506JGP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:100K  chenmko
 chm5506jgp.pdf pdf_icon

CHM5506JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5506JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High sat

Другие MOSFET... CHM4953JGP , CHM4955JGP , CHM50N06NGP , CHM50N06PAGP , CHM51A3PAGP , CHM51A3ZGP , CHM540ANGP , CHM540APAGP , 4N60 , CHM5813ESQ2GP , CHM5P03PAGP , CHM6030LPAGP , CHM6031LPAGP , CHM603ALPAGP , CHM6056PAGP , CHM6060NPAGP , CHM6060RNGP .

History: CJ3139KDW | APM4012NU | FDS5170N7 | CEB6060N | IXTQ96N15P | F5043

 

 
Back to Top

 


 
.