CHM5506JGP - Даташиты. Аналоги. Основные параметры
Наименование производителя: CHM5506JGP
Тип транзистора: MOSFET
Полярность: N
Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
|Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 60 V
|Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 20 V
|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A
Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns
Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf
Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm
Тип корпуса: SO-8
Аналог (замена) для CHM5506JGP
CHM5506JGP Datasheet (PDF)
chm5506jgp.pdf

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5506JGPSURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5.5 AmpereAPPLICATION* Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers.* Other switching applications.SO-8FEATURE* Small flat package. (SO-8 )( )* Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160( )3.70 0.146* High sat
Другие MOSFET... CHM4953JGP , CHM4955JGP , CHM50N06NGP , CHM50N06PAGP , CHM51A3PAGP , CHM51A3ZGP , CHM540ANGP , CHM540APAGP , IRF1010E , CHM5813ESQ2GP , CHM5P03PAGP , CHM6030LPAGP , CHM6031LPAGP , CHM603ALPAGP , CHM6056PAGP , CHM6060NPAGP , CHM6060RNGP .
History: 7N60G-TF3-T | FQD3P20TF
History: 7N60G-TF3-T | FQD3P20TF



Список транзисторов
Обновления
MOSFET: AP5N10SI | AP5N10MI | AP5N10BSI | AP5N10BI | AP5N06MI | AP5N04MI | AP55N10F | AP50P10P | AP50P10NF | AP50P10D | AP50P04DF | AP50P04D | AP50P03NF | AP50P03DF | AP50P03D | AP30N10D
Popular searches
bc550 | irf9530 | 2n2222a transistor | irfp250 | irf640n datasheet | irf540 datasheet | irf530 | 2n3565