CHM5506JGP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHM5506JGP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 60 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 5.5 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 8 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 80 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.055 Ohm

Тип корпуса: SO-8

Аналог (замена) для CHM5506JGP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM5506JGP даташит

 ..1. Size:100K  chenmko
 chm5506jgp.pdf pdf_icon

CHM5506JGP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM5506JGP SURFACE MOUNT N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 60 Volts CURRENT 5.5 Ampere APPLICATION * Servo motor control. * Power MOSFET gate drivers. * Other switching applications. SO-8 FEATURE * Small flat package. (SO-8 ) ( ) * Super High density cell design for extremely low RDS(ON). 4.06 0.160 ( ) 3.70 0.146 * High sat

Другие IGBT... CHM4953JGP, CHM4955JGP, CHM50N06NGP, CHM50N06PAGP, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, 12N60, CHM5813ESQ2GP, CHM5P03PAGP, CHM6030LPAGP, CHM6031LPAGP, CHM603ALPAGP, CHM6056PAGP, CHM6060NPAGP, CHM6060RNGP