CHM5813ESQ2GP Todos los transistores

 

CHM5813ESQ2GP MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CHM5813ESQ2GP
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 624 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm
   Paquete / Cubierta: DFN3X2
 

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CHM5813ESQ2GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  chenmko
 chm5813esq2gp.pdf pdf_icon

CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5813ESQ2GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note Book* Portable Equipment* Battery Powered System* BLoad SwitchDFN 3x2* DSCFEATURE* Small flat package. ( DFN 3x2 )0.65(TYP) 0.25~0.35* Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

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History: HGB037N10T | IPD60R1K5CE | CHM4435AZGP | ELM57801GA | NCE01P13I | NTMFS4C054N | QM2404C1

 

 
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