CHM5813ESQ2GP Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHM5813ESQ2GP

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 12 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 9 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 25 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 624 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.02 Ohm

Encapsulados: DFN3X2

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CHM5813ESQ2GP datasheet

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CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM5813ESQ2GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Power Management in Note Book * Portable Equipment * Battery Powered System * BLoad Switch DFN 3x2 * DSC FEATURE * Small flat package. ( DFN 3x2 ) 0.65(TYP) 0.25 0.35 * Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

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