Справочник MOSFET. CHM5813ESQ2GP

 

CHM5813ESQ2GP MOSFET - описание производителя. Даташиты. Основные параметры и характеристики. Поиск аналога. Справочник


   Наименование прибора: CHM5813ESQ2GP
   Маркировка: M5813ES
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Vgs(th)|ⓘ - Пороговое напряжение включения: 1 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   Qgⓘ - Общий заряд затвора: 35 nC
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2

 Аналог (замена) для CHM5813ESQ2GP

 

 

CHM5813ESQ2GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  chenmko
 chm5813esq2gp.pdf

CHM5813ESQ2GP CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5813ESQ2GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note Book* Portable Equipment* Battery Powered System* BLoad SwitchDFN 3x2* DSCFEATURE* Small flat package. ( DFN 3x2 )0.65(TYP) 0.25~0.35* Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

Другие MOSFET... IRFP360LC , IRFP3710 , IRFP430 , IRFP431 , IRFP432 , IRFP433 , IRFP440 , IRFP440A , 4N60 , IRFP442 , IRFP443 , IRFP448 , IRFP450 , IRFP450A , IRFP450FI , IRFP450LC , IRFP451 .

 

 
Back to Top