CHM5813ESQ2GP datasheet, аналоги, основные параметры

Наименование производителя: CHM5813ESQ2GP

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: P

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 12 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 8 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm

Тип корпуса: DFN3X2

Аналог (замена) для CHM5813ESQ2GP

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM5813ESQ2GP даташит

 ..1. Size:138K  chenmko
 chm5813esq2gp.pdf pdf_icon

CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTD CHM5813ESQ2GP SURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 Ampere APPLICATION * Power Management in Note Book * Portable Equipment * Battery Powered System * BLoad Switch DFN 3x2 * DSC FEATURE * Small flat package. ( DFN 3x2 ) 0.65(TYP) 0.25 0.35 * Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

Другие IGBT... CHM4955JGP, CHM50N06NGP, CHM50N06PAGP, CHM51A3PAGP, CHM51A3ZGP, CHM540ANGP, CHM540APAGP, CHM5506JGP, 5N65, CHM5P03PAGP, CHM6030LPAGP, CHM6031LPAGP, CHM603ALPAGP, CHM6056PAGP, CHM6060NPAGP, CHM6060RNGP, CHM6060RPAGP