Справочник MOSFET. CHM5813ESQ2GP

 

CHM5813ESQ2GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM5813ESQ2GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
 

 Аналог (замена) для CHM5813ESQ2GP

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM5813ESQ2GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  chenmko
 chm5813esq2gp.pdf pdf_icon

CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5813ESQ2GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note Book* Portable Equipment* Battery Powered System* BLoad SwitchDFN 3x2* DSCFEATURE* Small flat package. ( DFN 3x2 )0.65(TYP) 0.25~0.35* Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

Другие MOSFET... CHM4955JGP , CHM50N06NGP , CHM50N06PAGP , CHM51A3PAGP , CHM51A3ZGP , CHM540ANGP , CHM540APAGP , CHM5506JGP , 4435 , CHM5P03PAGP , CHM6030LPAGP , CHM6031LPAGP , CHM603ALPAGP , CHM6056PAGP , CHM6060NPAGP , CHM6060RNGP , CHM6060RPAGP .

History: HMS75N65T | ME6874-G | SVT044R5NT

 

 
Back to Top

 


 
.