Справочник MOSFET. CHM5813ESQ2GP

 

CHM5813ESQ2GP Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CHM5813ESQ2GP
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: P
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 2.5 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 12 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 8 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 9 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 150 °C
   trⓘ - Время нарастания: 25 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 624 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.02 Ohm
   Тип корпуса: DFN3X2
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам

 

CHM5813ESQ2GP Datasheet (PDF)

 ..1. Size:138K  chenmko
 chm5813esq2gp.pdf pdf_icon

CHM5813ESQ2GP

CHENMKO ENTERPRISE CO.,LTDCHM5813ESQ2GPSURFACE MOUNT P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VOLTAGE 12 Volts CURRENT 9 AmpereAPPLICATION* Power Management in Note Book* Portable Equipment* Battery Powered System* BLoad SwitchDFN 3x2* DSCFEATURE* Small flat package. ( DFN 3x2 )0.65(TYP) 0.25~0.35* Super high density cell design for extremely low RDS(ON).

Другие MOSFET... FMP36-015P , FMP76-01T , GMM3x100-01X1-SMD , FDMS0306AS , GMM3x120-0075X2-SMD , FDMS0300S , GMM3x160-0055X2-SMD , FDMC7200S , CS150N03A8 , FDMC7200 , GMM3x60-015X2-SMD , FDMC0310AS , GWM100-0085X1-SL , FDMS3610S , GWM100-0085X1-SMD , FDMS3606S , GWM100-01X1-SL .

History: SSF65R190SFD | WMJ38N60C2 | 2SK4075 | PSMN013-100XS | AO6804A | FK14KM-9 | MX2N4857

 

 
Back to Top

 


 
.