CHT-SNMOS80 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CHT-SNMOS80

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 80 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 5 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.6 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.93 Ohm

Encapsulados: TO-39 TO-18

 Búsqueda de reemplazo de CHT-SNMOS80 MOSFET

- Selecciónⓘ de transistores por parámetros

 

CHT-SNMOS80 datasheet

 ..1. Size:490K  no
 cht-snmos80.pdf pdf_icon

CHT-SNMOS80

The Leader in High Temperature Semiconductor Solutions MERCURY CHT-SNMOS80 Version 2.6 23-Mar-12 DATASHEET Last Modified Date High-Temperature Small-signal N-channel MOSFET General description Features The CHT-SNMOS-80 is a high voltage 80V Qualified from -55 to +225 C (Tj) N-channel small-signal MOSFET designed Drain voltage up to 80V to achieve high performa

Otros transistores... CHT2303GP, CHT2312GP, CHT2324GP, CHT84GP, CHT84SGP, CHT84VGP, CHT84WGP, CHT870GP, AON7506, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, CMF20120D, CMKDM8005, CMLDM3737, CMLDM3757