CHT-SNMOS80 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CHT-SNMOS80
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 5 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.45 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 225 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   trⓘ - Tiempo de subida: 6.5 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 8.6 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 5.93 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-39 TO-18
     - Selección de transistores por parámetros