CHT-SNMOS80 Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов

   Наименование прибора: CHT-SNMOS80
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pdⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 80 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 5 V
   |Id|ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A
   Tjⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C
   trⓘ - Время нарастания: 6.5 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf
   Rdsⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.93 Ohm
   Тип корпуса: TO-39 TO-18
     - подбор MOSFET транзистора по параметрам