CHT-SNMOS80. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CHT-SNMOS80

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 3.3 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 80 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 5 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 0.45 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 225 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 6.5 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 8.6 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 5.93 Ohm

Тип корпуса: TO-39 TO-18

Аналог (замена) для CHT-SNMOS80

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CHT-SNMOS80 даташит

 ..1. Size:490K  no
 cht-snmos80.pdf pdf_icon

CHT-SNMOS80

The Leader in High Temperature Semiconductor Solutions MERCURY CHT-SNMOS80 Version 2.6 23-Mar-12 DATASHEET Last Modified Date High-Temperature Small-signal N-channel MOSFET General description Features The CHT-SNMOS-80 is a high voltage 80V Qualified from -55 to +225 C (Tj) N-channel small-signal MOSFET designed Drain voltage up to 80V to achieve high performa

Другие IGBT... CHT2303GP, CHT2312GP, CHT2324GP, CHT84GP, CHT84SGP, CHT84VGP, CHT84WGP, CHT870GP, AON7506, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, CMF20120D, CMKDM8005, CMLDM3737, CMLDM3757