CMF10120D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

   Número de Parte: CMF10120D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 134 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 24 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

   |Vgs(th)|ⓘ - Tensión umbral entre puerta y fuente: 4.1 V
   Qgⓘ - Carga de la puerta: 47.1 nC
   trⓘ - Tiempo de subida: 34 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 63 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.2 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3

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CMF10120D Datasheet (PDF)

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cmf10120d.pdf

CMF10120D-Silicon Carbide Power MOSFET VDS = 1200 VZ-FETTM MOSFET RDS(on) N-Channel Enhancement Mode = 160 m Qg = 47 nCFeatures PackageD D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Pb-Free Plating, RoHS Compliant, Halogen Free G GSTO-247-3 S Benefits Higher System Efficiency

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Liste

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