Справочник MOSFET. CMF10120D

 

CMF10120D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMF10120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 134 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 24 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 34 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 63 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.2 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3
 

 Аналог (замена) для CMF10120D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMF10120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:684K  cree
 cmf10120d.pdf pdf_icon

CMF10120D

CMF10120D-Silicon Carbide Power MOSFET VDS = 1200 VZ-FETTM MOSFET RDS(on) N-Channel Enhancement Mode = 160 m Qg = 47 nCFeatures PackageD D Industry Leading RDS(on) High Speed Switching Low Capacitances Easy to Parallel Simple to Drive Pb-Free Plating, RoHS Compliant, Halogen Free G GSTO-247-3 S Benefits Higher System Efficiency

Другие MOSFET... CHT84SGP , CHT84VGP , CHT84WGP , CHT870GP , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , P60NF06 , CMF20120D , CMKDM8005 , CMLDM3737 , CMLDM3757 , CMLDM5757 , CMLDM7002A , CMLDM7002AJ , CMLDM7003 .

History: AP65WN470I | BLP02N06-T

 

 
Back to Top

 


 
.