CMF20120D MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMF20120D

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 25 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm

Encapsulados: TO-247-3

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CMF20120D datasheet

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CMF20120D

VDS 1200 V CMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET ID(MAX) 42 A Z-FETTM MOSFET RDS(on) 80m N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant TO-247-3 Benefits Hi

Otros transistores... CHT84VGP, CHT84WGP, CHT870GP, CHT-SNMOS80, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, BS170, CMKDM8005, CMLDM3737, CMLDM3757, CMLDM5757, CMLDM7002A, CMLDM7002AJ, CMLDM7003, CMLDM7003E