CMF20120D Todos los transistores

 

CMF20120D MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMF20120D
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: N

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 215 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 25 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 42 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 135 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   trⓘ - Tiempo de subida: 38 nS
   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 120 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.1 Ohm
   Paquete / Cubierta: TO-247-3
 

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CMF20120D Datasheet (PDF)

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CMF20120D

VDS 1200 VCMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET ID(MAX) 42 AZ-FETTM MOSFET RDS(on) 80m N-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantTO-247-3 Benefits Hi

Otros transistores... CHT84VGP , CHT84WGP , CHT870GP , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , CMF10120D , 18N50 , CMKDM8005 , CMLDM3737 , CMLDM3757 , CMLDM5757 , CMLDM7002A , CMLDM7002AJ , CMLDM7003 , CMLDM7003E .

History: IRF4905SPBF | BUK9Y4R4-40E | MMIX1F360N15T2 | NCE50NF600I | 2SK809A | 2N6917 | STF7N65M2

 

 
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