Справочник MOSFET. CMF20120D

 

CMF20120D Даташит. Основные параметры и характеристики. Поиск аналогов


   Наименование прибора: CMF20120D
   Тип транзистора: MOSFET
   Полярность: N
   Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W
   |Vds|ⓘ - Предельно допустимое напряжение сток-исток: 1200 V
   |Vgs|ⓘ - Предельно допустимое напряжение затвор-исток: 25 V
   |Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A
   Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C
   tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns
   Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf
   Rds ⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm
   Тип корпуса: TO-247-3
 

 Аналог (замена) для CMF20120D

   - подбор ⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMF20120D Datasheet (PDF)

 ..1. Size:758K  cree
 cmf20120d.pdf pdf_icon

CMF20120D

VDS 1200 VCMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET ID(MAX) 42 AZ-FETTM MOSFET RDS(on) 80m N-Channel Enhancement ModeFeatures Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS CompliantTO-247-3 Benefits Hi

Другие MOSFET... CHT84VGP , CHT84WGP , CHT870GP , CHT-SNMOS80 , CM697 , CM800 , CM860 , CMF10120D , 18N50 , CMKDM8005 , CMLDM3737 , CMLDM3757 , CMLDM5757 , CMLDM7002A , CMLDM7002AJ , CMLDM7003 , CMLDM7003E .

History: MMBFJ111 | CMPDM7002AE | STP30NF20

 

 
Back to Top

 


 
.