CMF20120D. Аналоги и основные параметры

Наименование производителя: CMF20120D

Тип транзистора: MOSFET

Полярность: N

Предельные значения

Pd ⓘ - Максимальная рассеиваемая мощность: 215 W

|Vds|ⓘ - Максимально допустимое напряжение сток-исток: 1200 V

|Vgs|ⓘ - Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 25 V

|Id| ⓘ - Максимально допустимый постоянный ток стока: 42 A

Tj ⓘ - Максимальная температура канала: 135 °C

Электрические характеристики

tr ⓘ - Время нарастания: 38 ns

Cossⓘ - Выходная емкость: 120 pf

RDSonⓘ - Сопротивление сток-исток открытого транзистора: 0.1 Ohm

Тип корпуса: TO-247-3

Аналог (замена) для CMF20120D

- подборⓘ MOSFET транзистора по параметрам

 

CMF20120D даташит

 ..1. Size:758K  cree
 cmf20120d.pdf pdf_icon

CMF20120D

VDS 1200 V CMF20120D-Silicon Carbide Power MOSFET ID(MAX) 42 A Z-FETTM MOSFET RDS(on) 80m N-Channel Enhancement Mode Features Package High Speed Switching with Low Capacitances High Blocking Voltage with Low RDS(on) Easy to Parallel and Simple to Drive Avalanche Ruggedness Resistant to Latch-Up Halogen Free, RoHS Compliant TO-247-3 Benefits Hi

Другие IGBT... CHT84VGP, CHT84WGP, CHT870GP, CHT-SNMOS80, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, BS170, CMKDM8005, CMLDM3737, CMLDM3757, CMLDM5757, CMLDM7002A, CMLDM7002AJ, CMLDM7003, CMLDM7003E