CMKDM8005 MOSFET Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características

Número de Parte: CMKDM8005

Tipo de FET: MOSFET

Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W

|Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador-fuente: 20 V

|Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente-puerta: 8 V

|Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A

Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS

Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF

RDSonⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm

Encapsulados: SOT-363

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CMKDM8005 datasheet

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CMKDM8005

CMKDM8005 SURFACE MOUNT www.centralsemi.com DUAL P-CHANNEL DESCRIPTION ENHANCEMENT-MODE The CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKDM8005 SILICON MOSFETS consists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Very Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage. MARKING CODE C85M FEATURES SOT-363 CASE E

Otros transistores... CHT84WGP, CHT870GP, CHT-SNMOS80, CM697, CM800, CM860, CMF10120D, CMF20120D, 4N60, CMLDM3737, CMLDM3757, CMLDM5757, CMLDM7002A, CMLDM7002AJ, CMLDM7003, CMLDM7003E, CMLDM7003J