CMKDM8005 Todos los transistores

 

CMKDM8005 MOSFET. Datasheet. Equivalente. Reemplazo. Hoja de especificaciones. Principales características


   Número de Parte: CMKDM8005
   Tipo de FET: MOSFET
   Polaridad de transistor: P

ESPECIFICACIONES MÁXIMAS

   Pdⓘ - Máxima disipación de potencia: 0.35 W
   |Vds|ⓘ - Voltaje máximo drenador - fuente: 20 V
   |Vgs|ⓘ - Voltaje máximo fuente - puerta: 8 V
   |Id|ⓘ - Corriente continua de drenaje: 0.65 A
   Tjⓘ - Temperatura máxima de unión: 150 °C

CARACTERÍSTICAS ELÉCTRICAS


   Cossⓘ - Capacitancia de salida: 21 pF
   Rds(on)ⓘ - Resistencia estado encendido drenaje a fuente: 0.36 Ohm
   Paquete / Cubierta: SOT-363
 

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CMKDM8005 Datasheet (PDF)

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CMKDM8005

CMKDM8005SURFACE MOUNTwww.centralsemi.comDUAL P-CHANNELDESCRIPTION:ENHANCEMENT-MODEThe CENTRAL SEMICONDUCTOR CMKDM8005 SILICON MOSFETSconsists of Dual P-Channel Enhancement-mode silicon MOSFETs designed for high speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer Very Low rDS(ON) and Low Threshold Voltage.MARKING CODE: C85MFEATURES:SOT-363 CASE E

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History: CJD4435 | STWA88N65M5 | IRFY430CM

 

 
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